بررسی خواص ترابرد الکترونی در نیمرسانای gan در میدان های الکتریکی ضعیت
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور
- نویسنده فاطمه لقمانی
- استاد راهنما هادی عربشاهی جمیل آریایی
- سال انتشار 1388
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
خواص الکترونی، فونونی و مکانیکی GaN
در این مقاله خواص الکترونی، فونونی و مکانیکی بلور GaN در حالت انبوهه، برای دو فاز مکعبی بلندروی و شش گوشی ورتسایت با استفاده از نظریه‌ی تابعی چگالی، تقریب شیب تعمیم یافته و استفاده از شبه‌پتانسیل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بررسی خواص الکترونی نشان داد که این بلور در فازهای بلندروی و ورتسایت نیمرسانا، با گاف انرژی 2 و 2/2 الکترون-ولت است. با منطبق نمودن نمودار انرژی بر حسب پارامترهای شبکه...
متن کاملخواص ترابرد الکترون ها در نیمرسانای alxga1-xas با درصدهای مولی متفاوت در میدان الکتریکی بالا
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی خواص ترابرد الکترونی دو نیم رسانای ga0.5in0.5sp و al0.26ga0.26in0.48 در حضور میدان های الکتریکی ضعیف
چکیده ندارد.
15 صفحه اولخواص الکترونی، فونونی و مکانیکی gan
در این مقاله خواص الکترونی، فونونی و مکانیکی بلور gan در حالت انبوهه، برای دو فاز مکعبی بلندروی و شش گوشی ورتسایت با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی، تقریب شیب تعمیم یافته و استفاده از شبه پتانسیل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بررسی خواص الکترونی نشان داد که این بلور در فازهای بلندروی و ورتسایت نیم رسانا، با گاف انرژی 2 و 2/2 الکترون-ولت است. با منطبق نمودن نمودار انرژی بر حسب پارامترهای شبکه...
متن کاملمطالعه خواص ترابرد الکترونی در ترکیبات نیمرسانای گروه iii-v با ابعاد زیر میکرونی در حضور میدان های الکتریکی قوی به روش شبیه سازی مونت کارلو
بررسی ترابرد الکترون ها در بلور ها و قطعات نیمرسانا در حضور میدان های الکتریکی قوی همواره یکی از موضاعات مورد توجه محققان و صنعت بوده است. در این پایان نامه خواص ترابرد الکترون ها در ترکیبات نیمرسانای کپه ای iii-v در دو حالت پایدار و ناپایدار با استفاده از روش شبیه سازی مونت کارلو محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است.
خواص ترابرد الکترونی نانولوله کربنی فلز - نیمرسانا - فلز
In this work, we study electronic transport properties of a quasi-one dimensional pure semi-conducting Zigzag Carbon Nanotube (CNT) attached to semi-infinite clean metallic Zigzag CNT leads, taking into account the influence of topological defect in junctions. This structure may behave like a field effect transistor. The calculations are based on the tight-binding model and Green’s function me...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023